同花顺300033）F10数据显示，2022年8月24日中微公司题材要点有更新调整：

　　2022年3月份，公司拟以现金方式投资1.08亿元（大写：壹亿零捌佰万元）人民币，认购上海睿励新增注册资本75,766,759.34元人民币，认购单价为1.43元/股（注册资本）。上述交易完成后，公司持股比例由20.4467%增加至29.3562%。上海睿励主营的产品为光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备，及硅片厚度及翘曲测量设备等。上海睿励自主研发的12英寸光学测量设备TFX3000系列产品，已应用在65/55/40/28纳米芯片生产线D存储芯片产线DNAND芯片的生产，并正在验证96层3DNAND芯片的测量性能。上海睿励应用于LED蓝宝石衬底图形检测的自动光学检测设备，也已成功销售到国内LEDPSS衬底和LED芯片生产线。上海睿励正在开发下一代可支持更高阶芯片制程工艺的膜厚和OCD测量设备及应用于集成电路芯片生产的缺陷检测设备，进一步扩大可服务的市场规模。本公司同上海睿励的客户和供应商有高度重叠，通过本次增资，能进一步形成产业链协同效应。

　　2021年12月份，理想万里晖成立于2013年5月21日，注册资本人民币15,264.0988万元，公司持股人民币563.6890万元出资额，目前持股占比3.6929%。现公司拟以自有资金向理想万里晖投资10,000万元人民币，认购理想万里晖新增注册资本424.0028万元人民币，公司持股比例由3.6929%增加至4.7735%。理想万里晖目前主要产品为用于HJT电池生产的等离子体化学气相沉积（PECVD）设备，未来根据客户需求提供HJT电池生产线整线交钥匙工程。理想万里晖目前已具备多项自主可控的知识产权。本次公司对外投资，系公司为完善业务布局而进行，通过对理想万里晖的投资，公司有望与理想万里晖在泛半导体关键设备领域形成协同发展效应。

　　公司CCP刻蚀设备产品保持竞争优势，PrimoAD-RIE，PrimoSSCADRIE，PrimoHD-RIE等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续提升市场占有率，在部分客户市场占有率已进入前三位。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔，产量同比增长40%。此外，在先进逻辑电路方面，公司持续升级硬件性能，成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀设备在64层及128层3DNAND的生产线DNAND芯片制造厂产能的迅速爬升，该等产品的重复订单稳步增长。同时，公司积极布局动态存储器的应用，并开始工艺开发及验证。公司积极与主流客户合作，定义下一代CCP刻蚀机的主要功能及技术指标，正开发更先进的CCP刻蚀机产品。2021年6月15日，公司推出首台用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备，丰富了公司现有的刻蚀设备产品线。此外，PrimoAD-RIE200提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案，可以满足客户生产线未来可能扩产的需求。该设备在国内客户生产线运转，同时，公司正在与更多客户合作进行工艺开发。

　　子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型VOC净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠，稳定，安全和节能的VOC净化解决方案。2021年，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，共同推动环保科技行业的发展。

　　刻蚀设备空间巨大，MOCVD设备前景可期，半导体刻蚀设备全球市场规模2019年达115亿美元，CR3超90%，中国市场规模超180亿元，“新应用+产业转移+工艺进步”使国内刻蚀设备厂商获发展良机。MOCVD设备：中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场，保有量占全球比例超过40%。目前MOCVD设备下游应用主要为蓝光LED，随技术的进步，MOCVD设备还有望逐步应用在黄红光LED、深紫外LED，以及MiniLED、MicroLED、功率器件等诸多新兴领域，市场规模会有望进一步扩大。

　　公司主要为集成电路、LED芯片、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备。中微公司从2004年建立起首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备Primo

　　D-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台Primo D-RIE，双反应台Primo AD-RIE和单反应台的Primo AD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖关键尺寸的众多刻蚀应用。中微公司从2012年开始开发ICP刻蚀设备，到目前为止已成功开发出单反应台的Primo

　　nanova刻蚀设备，同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。公司还成功开发了电感性深硅刻蚀设备。在3D

　　NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于64层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发96层及更先进的刻蚀设备和工艺。2019年， 公司继续开拓ICP设备业务，已在某先进客户验证成功并实现量产，并有机台在其他数家客户的生产线上验证。公司将积极推进客户验证，并计划开展新的客户验证。

　　公司的钨填充CVD设备获得了阶段性进展。应用于金属互联的CVD钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求，产品正与关键客户对接验证。基于金属钨CVD设备，公司正进一步开发CVD和ALD设备，实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充，以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。公司报告期内组建EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备已进入样机的设计，制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

　　公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发，生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造，先进封装，LED外延片生产，功率器件，MEMS制造及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路，LED外延片，功率器件，MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备，MOCVD设备及其他设备。

　　公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场，开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备，目前已交付国内外领先客户进行生产验证。此外，公司启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，将进一步丰富公司的产品线。

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